З допомогою Скануючої Тунельної Мікроскопії та Спектроскопії детально досліджена структура інтерфейсу Bi/Si(l11)7x7. Показано, що плівка Bi на поверхні Si(l11)7x7 при кімнатній температурі росте по моделі Странскі-Крастанова. При прогріві до Т[менше]400[градусів]С суттєво не змінюється домоношарове та моношарове покриття Bi, а тривимірні острівці коалесцують. При температурі 400[градусів]С[менше]Т[менше]550[градусів]С, в залежності від кількості Bi, утворюються різні високотемпературні фази: вбудованийBi, [альфа]- та [бета]-фази. Домоношарові і моношарові покриття Bi та високотемпературні фази майже не мають електронних станів біля рівня Фермі. Досліджені також особливості часткової та повної десорбції вісмуту з інтерфейсу Bi/Si(l11)7x7 та відновленняпервісної реконструкції.
