В напівпровідникових гетероструктурах, виготовлених за технологією молекулярної епітаксії, квантові ефекти можуть виявляти себе в процесах переносу вільних носіїв заряду на макроскопічному рівні. Ці ефекти є предметом фундаментальних досліджень в сучасній фізиці і основою створення нових мікроелектронних приладів з підвищеною швидкодією. В даній роботі запропонована нова методика визначення рухливості вільних носіїв заряду в струмопровідних каналах таких гетероструктур. Цей параметр є найважливішим з тих, які треба контролювати при відпрацюванні технології їх виготовлення.