У роботі проведені дослідження, які показали, що концентрація пор в опроміненому кристалі дорівнює приблизно 1,5-Ю19 см~ Це підтверджує можливість збільшення об"єму кристалу при опроміненні нейтронами в розглянутих умовах. Отримані результати необхідно враховувати при опроміненні полупровідникових приладів, транмутаційному легуванню матеріалів та інших випадків радіаційного впливу.
В работе проведеыs исследования, которые показали, что концентрация пор в облученном кристалле составляет около 1,5"1019 см~3. Зто подтверждает возможность увеличения объема кристалла при облучении нейтронами в рассмотренных условиях. Полученные результати необходимо учитывать при облучении полупроводниковых приборов, трансмутационном легировании материалов и других случаях радиационного воздействия.
In work are carried out researches which have shown, that concentration in the irradiated crystal makes about 1,5"W19 sm3. It confirms an opportunity of increase in volume of a crystal at an irradiation with neutrons in the considered conditions. The received results are necessary for considering at an irradiation of semi-conductor devices, transmutation doping, materials and other cases of radiating influence.
