У роботі досліджені епітаксійні p - n - переходи з GaP , що представляють собою підкладки товщиною ~ 400 мкм із епітаксійним шаром p - типу провідності товщиною 20 мкм. Оцінюється кількісне значення інтенсивності рекомбінаційного випромінювання.
We have studied the epitaxial transitions, which constitute the substrate thickness of 400 microns with epitaksionnym fiber type thickness of 20 microns. Estimated the quantitative value of the intensity of recombination radiation.
