Діелектрична функцій надграток (НГ) GaAs/GaP[нижній індекс x]As[нижній індекс 1-x] (x = 0.2-0.4) була визначена за допомогою спектральної еліпсометрії. Енергії критичних точок E[нижній індекс 1], E[нижній індекс 1]+[Дельта з нижнім індексом 1] для GaAs та E[нижній індекс 1] для твердого розчину GaP[нижній іендекс x]As[нижній індекс 1-x] були визначені з другої похідної діелектричної функції. За допомогою інтерференції визначена сумарна товщина надгратки. Для теоретичного розрахунку використана дисперсійна модель Коші.