Розроблена концепція специфічної морфології плівок поверхні CoSi[нижній індекс 2], що має місце внаслідок Co-Si-реакції при нанесенні Co на Si-підложку та відпалювання цієї системи при 650-900 [градусах]. Оцінка коєфіцієнта дифузії атомів Co в підложку Si дає значення D=10[у -7 ступені] кв.см*с[у -1 ступені], що не характерно для твердих тіл. Розглянуті процеси генерації та розповсюдження тепла в дефектах кремнієвої підложки, що служать первинними центрами Co-Si хімічних реакцій, які значною мірою впливають на морфологію поверхні CoSi[нижній індекс 2]-плівки. Запропоновані методи планарізації поверхні CoSi[нижній індекс 2]-плівки.
