В роботі досліджено вплив ультразвуку на довжину дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному p-Si. Приведено амплітудні та кінетичні залежності ефекту. Проаналізовано можливі механізми акустичного впливу та показано, що причиною ефекту є перебудова в дефектній структурі кристалу.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
