Модель самоорганізації нанокомпозитів наноSi:аморфний Si:Si[нижній індекс X]О[нижній індекс Y] в шарі поруватого кремнію на поверхні p-Si підтверджена результатами вивчення: зв"язків Si-Si, Si-О, Si-О-Si (метод ІЧ спектроскопії); електронних рівнів, самоформування яких зумовлено цими зв"язками (метод дослідження струму, обмеженого просторовим зарядом, і низькочастотної ємності від напруги, та дифференціювання вольамперних залежностей); провідності структур металевий зонд/наноSi:аморфний Si:Si[нижній індекс X]О[нижній індекс Y] композит/p-Si в температурному інтервалі 80...300 К. Енергетичне положення та концентрація електронних рівнів становлять 0.47 eV та (5.25*10[в чотирнадцятому ступені]...1.5*10[в шістнадцятому ступені] см[верхній індекс -3] eV[верхній індекс -1]. Провідність структур металевий зонд/наноSi:аморфний Si:Si[нижній індекс X]О[нижній індекс Y] композит/p-Si визначається провідністю нанокомпозиту і в інтервалі напруг 0.5...2В описується механізмом Пула-Френкеля з енергією активації 0.48 eV.
