Показано, що при релаксації внутрішніх напруг в полікристалах ZnSe відбувається генерація власних точкових дефектів, що приводить до збільшення темнової провідності (ТП), але характер вольтамперних характеристик (ВАХ) при цьому не змінюється. З одержаних експериментально температурних залежностей ТП в зрелаксованому та незрелаксованому полікристалічному ZnSe встановлено, що при кімнатній температурі ТП визначається центрами, які мають локальний рівень на глибині ~ 0,7 eB, що відповідає локальному рівнювакансії цинку в ZnSe.
