За допомогою ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії досліджено формування Ag/Si інтерфейсів при адсорбції Ag на впорядкованих та розупорядкованих бомбардуванням іонами Ar[верхній індекс +] поверхнях Si(100). Установлено, що на розупорядкованих поверхнях Si(100) формування електронної структури, характерної для 4d зони об"ємного Ag, проходить значно повільніше, ніж на кристалічних Si(100)-2xl поверхнях.
