The kinetics of current through gas sensitive heterostructure SnO2 - Si as a n-p-heterojunction were investigated. It was shown that the adsorption or desorption of water molecules from the surface of heterostructure under the influence of constant voltage can be divided into 2 subprocesses: fast and slow. The time constant of these subprocesses differs by about ten times of each other.
У роботі досліджувалася кінетика струму через газочутливу гетероструктуру, яка являє собою n-p-гетероперехід SnO2 - Si. Було показано, що процес адсорбції або десорбції молекул води з поверхні гетероструктури під дією сталої напруги можна розділити на 2 підпроцеси: швидкий та повільний зі значеннями сталих часу, які відрізняються на порядок.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
