Dissociation of chemisorbed O2 molecule on perfect Ge-Ge addimers of GexSi1-x/Si(001) interface was investigated using ab initio calculations. Dissociation barrier of adsorbed O2 on perfect Ge-Ge addimers of GexSi1-x/ Si(001) interface is 1,99 eV. O2 dissociation is accompanied by spin conversions.
Використовуючи розрахунки з перших принципів ab initio досліджено дисоціацію хемаосорбовної молекули О2 на чистих Ge-Ge аддиммерах поверхні GexSi1-x/Si(001). Бар"єр для дисоціації становить 1.99 еВ. Дисоціація молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи.
