Запропонована система розрахунку імпульсу струму, який виникає при поглинанні рентгенівського кванту в напівпровідниковому детекторі, що містить мілкі пастки. При розрахунках враховується дифузія нерівноважних носіїв заряду, а для випадку значної концентрації пасток вперше застосовується функція розподілу по кількості локалізацій за час дрейфу. Показано, що імпульс струму можна представити у вигляді простої апроксимуючої функції.
We propose the system for calculating the pulse of current in the absorption of X-ray photon in the semiconductor detector, which contains the small traps. In the calculations take into account the diffusion of nonequilibrium charge carriers, as in the case of a large concentration of traps for the first time used the distribution function of the number of locations during the drift to the electrodes. The pulse of current can be represented in the simple form approximating function was shown.
