Розглянуто процес росповсюдження тепла (що генерується реакцією Co-Si) в дефекті циліндричної форми (в адіабатичному випадку). Отримано залежне від часу теь поле в дефекті. Порівняння розрахункових даних з експериментальними вказує на те, що характернийчас реакції 2Si+Co=CoSi2 лежить в пікосекундному діапазоні.
The processes of heat spreading inside deffect were examined. The time-depended temperature field in deffect was obtained in adiabatic approach. The comparing obtained expression with experimental data prove that characteristic time of Co-Si reaction lies in picosecond diapazone.
