Виміряно темпові вольт-амперні характеристики структур Ag/n-GaAs/n+-GaAs/In з n-GaAs епітаксіапьним шаром легованим різними типами домішок. Отримані результати пояснено в моделі двох потенціальних бар"єрів. Спектри фотоЕРС структур з епітаксіальними шарами GaAs, легованими киснем, телуром та оловом досліджені при 80 та 290 К. Показано, що внутрішнє електричне поле п+-п переходу збільшує фотовідгуку структури за рахунок зменшення випливу поверхневої рекомбінації.
The dark-current voltage characteristics were measured for Ag/n-GaAs/n+-GaAs/In structures with n-GaAs epitaxy layer with a different type of impurity. Obtained results explained by model of two opposite potential barriers. The photo-emf spectra of structures with n-GaAs epitaxy layer doped by oxygen, tellurium or Sn were studied at 293 К and 80 K. It was shown the inner electric filed of n+-n junction can increases the value of photoresponse in epitaxy layer and decreases the influence of surface recombination.
