Отримані нові результати стосовно індикатриси вимушеного комбінаційного розсіяння світла. Теоретично показано, що асиметрія може бути пояснена і описана впливом параметричних процесів, відповідальних за утворення антистоксової і стоксової компоненти. З"ясована залежність коефіцієнта асиметрії розсіяння від рівня перевищення порогу вимушеного комбінаційного розсіяння світла.
New results concerning stimulated Raman light scattering indicatrix were obtained. It was theoretically demonstrated that the asymmetry can be explained and described with the influence of parametric processes, which are responsible for Stokes and anti-Stokes components creation. Dependency of scattering asymmetry coefficient on the level of excess above the threshold of stimulated Raman light scattering was determined.
