Надвисоковакуумний скануючий тунельний мікроскоп (НВВ СТМ) був використаний для дослідження взаємодії вісмуту з поверхнею Si(100)-2xl, при покриттях як менше так і більше одного моношару. Встановлено, що адсорбція вісмуту при кімнатній температурі та подальший прогрів приводять до значного розупорядкування підкладинки і формування вісмутового шару лише з ближнім порядком. Прогрів до температур десорбції вісмуту і вище спричиняв відновлення атомарно рівної поверхні та формування поверхневої фази кремніяSi(100)-c(4x4), яка в таких умовах спостерігалась вперше і виявилась енергетично більш вигідною ніж Si(100)-2xl.
Ultra-high vacuum scanning tunneling microscope (UHV STM) was used for investigation of bismuth interaction with the Si(100)-2xl surface, at coverages below and above one monolayer. It is shown that bismuth adsorbtiom at room temperature and subsequent heating cause substantial disordering of the substrate and formation of bismuth layer with only short range order. Annealing at temperaturesof bismuth desorbtion and higher, causes renewal of atomically smooth surface and formation of silicon surface phase Si(100)-c(4x4), which was observed under such conditions for the first time and appeared to be energetically favorable over Si(100)-2&xl.
