За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено особливості зміни структури та електронних властивостей (робота виходу, густина електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні Ge(111)-с(2х8) при адсорбції на ній атомів Ві. Показано, що адсорбція атомів Ві приводить до зменшення роботи виходу поверхні Ge(111) (максимально на 0.8 еВ) та до утворення двох стабільних адсорбційних станів при О Bi=2/3 та 1.0 МШ з однаковою подструктурою V3xV3 [подано формулу].
The electronic properties (work function, density of electronic states near the Fermi level) of the Ge(111)-с(2х8) surface at adsorption of Bi atoms on it were investigated by using of electron spectroscopy methods. It is shown, that adsorption of Bi atoms lead to reducing the work function of Ge(111) surface (at most on 0.8 eV) and to formation of two stable adsorption states at О Bi=2/3 and 1.0 ML with the same V3xV3 [...] superstructure.
