З метою визначення типу рекомбінації носіїв заряду досліджувались світлові характеристики в різних точках спектра фотопровідності зразка Ge. Виявилось, що в області максимуму спектра фотопровідності фотострум пропорційний кореню квадратному з інтенсивності збуджувального випромінювання, тобто рекомбінація є квадратичною. У короткохвильовій області спектра спостерігалися лінійні світлові характеристики. Показано, що перехід до лінійної світлової характеристики зумовлений великою швидкістю при поверхневої рекомбінації.
