Надвисоковакуумний скануючий тунельний мікроскоп (НВВ СТМ) був використаний для дослідження топографічних особливостей поверхні Si (100)-с (4х4). Детально вивчено поведінку такої структури при різних тунельних напругах. На основі одержаних даних, а також, виходячи з результатів досліджень, наявних у літературі, запропоновано атомарну модель даної поверхні. Обговорено можливий механізм формування фази с (4х4), а також проблему стабільності відносно Sі (100)-2х1.
