В даній роботі було досліджено процес формування та росту тонких плівок вісмуту на підкладинці Ge(111) - 2 x 8. До 0.25 МШ, прогрів при 450 K спричиняє дифузію вісмутових атомів по поверхні та відповідно - формування острівців. Атоми вісмуту, адсорбовані на поверхні германію, формують маленькі острівці, густина яких зростає по мірі збільшення Ві покриття. За товщини вісмутової плівки порядку 1.5 МШ спостерігалось утворення 3-вимірних кластерів. Таким чином, за кімнатної температури вісмутова плівка росте з деякими відхиленнями від пошарового режиму росту. При подальшому вирощуванні плівки до товщин порядку від 7 до 10 МШ та подальшому прогріві до 450 К утворюються нанокристали вісмуту з орієнтацією поверхні типу (110).
In this work, we have investigated the growth process of thin Bi-films on the Ge(111)-2x8 substrate. Below 0.25 ML, annealing at 450K causes diffusion of Bi atoms into dense Bi islands but no long-range order is established. Bi atoms adsorbed on top of germanium are forming small islands, their density increasing as metal coverage grows. Three-dimensional (3D) clusters were observed, starting with Bi-film thickness of about 1.5 ML. At room temperature, bismuth is growing with certain deviations from layer by layer regime. Larger B&i coverages (from 7 to 10 ML) deposited on Ge(111) and annealed at 450 K produce nanocrystalls with Bi(110) surface exposed on top of them.
