У роботі досліджено протікання імпульсу струму з густиною до 104 2 A/см крізь прямозміщений p-n перехід КНІ польового транзистора. Отримані осцилограми дозволили побудувати вольт-амперну характеристику, з S-подібною областю. Показано, що ця область пов"язана з утворенням шнура струму. Візуальні спостереження підтвердили появу одного повного шнура та декілька його зародків.
In this work the flowing of current pulse with density 104 2 А/sm through forward-biased p-n junction of FET transistors is studied. Oscillograms been obtained allowed to build Volt-ampere description with S-similar region. It is shown that this region is caused by the formation of current pinch. Visual observation has confirmed the appearance of a one full pinch and several its nucleuses.
