Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Pavlyuk S., Oberemok O., Tishchenko I.
Назва: Current pinching in forward-biased unipolar microtransistors
Видавництво: ВПЦ "Київський університет"
Рік:
Сторінок: Р. 43-44
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   У роботі досліджено протікання імпульсу струму з густиною до 104 2 A/см крізь прямозміщений p-n перехід КНІ польового транзистора. Отримані осцилограми дозволили побудувати вольт-амперну характеристику, з S-подібною областю. Показано, що ця область пов"язана з утворенням шнура струму. Візуальні спостереження підтвердили появу одного повного шнура та декілька його зародків.
   In this work the flowing of current pulse with density 104 2 А/sm through forward-biased p-n junction of FET transistors is studied. Oscillograms been obtained allowed to build Volt-ampere description with S-similar region. It is shown that this region is caused by the formation of current pinch. Visual observation has confirmed the appearance of a one full pinch and several its nucleuses.


З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.



Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин

Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex