Для полярної поверхні (111) в кристалах типу А3В5 і А2В6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову), а також розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивості поверхонь, щозакінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціала в рамках моделі шаруватої надгратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, обумовлені наявністю в разі поверхні векторів оберненої гратки, менших 1 aт.од.
The electronic band structure, the local density of states (full and layer-resolved) and the charge density distribution of valence electrons of the (111) polar surface in crystals of A3B5 and A2B6 - type: GaAs, ZnSe have been investigated. The properties of anion and cation -terminated surfaces were studied separately. The self-consistent pseudopotential method with the original iterator within bounds of the layered superlattice model was used.
