У роботі запропоновано підхід по визначенню рекомбінаційних параметрів з одного виміру у пластинах Si, таких як: швидкість поверхневої рекомбінації, "ефективний" і "об"ємний" час життя носіїв заряду. В основі методу лежить інжекція носіїв заряду шляхом імпульсної засвітки локальної області світлом з області фундаментального поглинання напівпровідника і вимірювання часової залежності зміни концентрації нерівноважпих носіїв заряду. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію і може використовуватись для якісного контролю у процесі виготовлення сонячних елементів.
The paper presents a technique to determine recombination parameters from one measurement of Si wafers, such as: surface recombination velocity, "effective" and "bulk" the lifetime of charge carriers. The method is injections of charge carriers by pulsed light illumination local area from the region of fundamental absorption of the semiconductor and measuring the time dependence changes in the concentration of nonequilibrium charge carriers. The method tested in production conditions at process silicon wafers and can be used for quality control during manufacturing of solar cells.
