Досліджувалися сонячні елементи (СЕ) із селективними шарами пористого кремнію (ПК). Показано, що ПК збільшує зовнішню квантову ефективність майже в усій спектральній області, зменшення при [лямбда]<400 нм обумовлено як оптичним поглинанням у ПК, так і рекомбінацією на межі кремній-ПК. При аналізі вольт-амперних характеристик ураховувалась залежність швидкості поверхневої рекомбінації від напруги. Визначено, що швидкість поверхневої рекомбінації на межі n-Si-ПК становить 8*10[у четвертому ступені]…3*10[у п"ятому ступені] см/с.
