Наведено оригінальні методи дослідження розподілених параметрів р-n переходів: шарового та шунтувального опору, локального потенціалу. Для дослідження дефектів шунтувального опору був розвинений підхід динамічної оптичної термографії, що набуває нових можливостей завдяки обробці сигналу і двовимірному скануванню. Наведено приклади карт резистивних властивостей для мультикристалічних сонячних елементів.
