Методом скануючої тунельної спектроскопії на повітрі досліджена щільність електронних станів на поверхні наноструктурованого кремнію в залежності від товщини наноструктурованої плівки. Товщина плівки наноструктурованого кремнію визначалася методом електронної Оже-спектроскопії і в залежності від параметрів технологічного процесу хімічної модифікації поверхні монокристалічного кремнію змінювалася від 3 нм до 60 нм. Локальна щільність електронних станів визначалася як нормована диференціальна тунельна провідність (dI/dU)/(I/U). Вперше показано, що в процесі росту плівки наноструктурованого кремнію спектр електронних станів істотно змінюється. При цьому відбуваються немонотонні зміни, як типу провідності, так і ширини забороненої зони в залежності від товщини досліджуваної наноструктурованої плівки та параметрів процесу їх формування.
Ключові слова: монокристалічний кремній, наноструктурований кремній, скануюча тунепьна спектроскопія.
Research of local density of electronic conditions in the layers ofnanostructured silicon depending on thickness of investigated layers has been carried out using a method of scanning tunnel spectroscopy on air. Thickness of nanostructured silicon layer was defined by means of Auger electronic spectroscopy and was c&hanging from 3nm up to 60nm depending on parameters of technological process during chemical modification of single-crystal silicon surface. The local density of electronic conditions was defined as normalized differential tunnel conductivity (dl/dU)&/(I/U). For the first time it was shown, that during growth of a nanostructured layer of silicon the spectrum of electronic conditions essentially changes. At the same time there were nonmonotonic changes, both in type of conductivity, and in width o&f the forbidden zone depending on the thickness and parameters of growth of an investigated layer
Key Words: single-crystal silicon, nanostructured silicon, scanning tunnel spectroscopy.
