У даній роботі досліджена повздовжня фотопровідність та фотолюмінесценція гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs. Проаналізовано отримані спектри фотопровідності та фотолюмінесценції, з їхньої форми визначено енергії міжзонних переходів основного стану квантової точки та змочувального шару. Проаналізовано вплив квантових точок з різними розмірами на енергетичні спектри фотопровідність та фотолюмінесценція гетеросистеми. Показано, що форма спектрів фотолюмінесценції визначається гаусовим розподілом розмірів. Користуючись процедурою опису оптичного спектра в умовах гаусового розширення смуги, одержано вираз для спектра поглинання міжзонного переходу між основними станами зони провідності та валентної зони In0.4Ga0.6As КТ.
Ключові слова: напівпровідникова наноструктура, поглинання, фотопровідність, фотолюмінесценція, квантова точка, оптичний перехід.
Lateral photoluminescence of the In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures is investigated in this paper. The spectral dependencies of the photoconductivity and photoluminescence was analyzed, and energies of the ground state of the quantum dots and wetting layer was obtained used the form of the spectral shapes. The influence of the quantum dots that have different sizes to the photoconductivity and photoluminesc&ence energy spectra of the heterosystem was analyzed. It was showed that the shape of the photoluminescence spectra is determined by Gaussian size distribution. The equation of the absorption spectra for inlerband transition between the ground states& of In0.4Ga0.6As quantum dot conduction band and valence band was found, used the procedure of the description of the optical spectra under Gauss extension of the band.
Key Words: semiconductor nanostructure, absorption, photoconductivity, photolumi&nescence, quantum dot, optical transition.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
