В інтервалі температур Т= 90-300 К проведені порівняльні рентгенографічні дослідження і виміряна діелектрична проникність є кристалів TlGaSe2 та TlGaSe2 з концентрацією Fe 0.5 mоl %. Виявлено, що легування атомами Fe не впливає на температурне положення сегнето-електричного фазового переходу (ФП), що відбувається при Т c= 108 К, але одночасно призводить до зростання температури ФП, пов"язаного з утворенням неспівмірно модульованої структури. Аналіз отриманих експериментальних даних свідчить про те,що ФП І роду при температурі Т с= 108 К, найімовірніше, пов"язаний із переміщенням іонів Тl +.
Ключові слова: шаруваті кристали, структура, діелектрична проникність, фазовий перехід, неспівмірна фаза.
In the temperatures interval = 90-300 К comparative X rays researches are conducted and dielectric permeability є of TIGaSe2 and TIGaSe2 crystals with 0.5 mol % Fe concentration is measured. It is discovered that alloying the atoms of Fe does not influence on temperature position of ferroelectric phase transition (PT), which takes place at Tc= 108 K, but at the same time results in an increase of temperature of PT related to formation of the incommensurate modulated structure. The analysis of the received experimental data testifies that most pr&obably first order PT at the temperature Tc= 108 К is caused by movement of Tl+ ions.
Key Words: layered crystals, structure, dielectric permeability, phase transition, incommensurate phase.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
