Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Ільченко Л.Г., Ільченко В.В., Лобанов В.В.
Назва: Електростатичний потенціал у системі напівпровідник-вакуум-метал до та після контакту
Видавництво: ВПЦ "Київський університет"
Рік:
Сторінок: С. 195-200
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   В рамках нелокальної електростатики теоретично розраховано сумарний електростатичний потенціал Vj (x, АФ) в системі напівпровідник-вакуум-метал (НВМ), яка знаходиться в контакті. Показано, що основним чинником утворення подвійного електричного шару (ПЕШ) при формуванні випростуючого НВМ контакту є сильний вплив близько розташованого металу і зарядового стану його поверхні на формування області просторового заряду в напівпровіднику в НВМ системі до контакту. При переході НВМ структури у випростуючий контакт стабільність висоти запірного шару h (АФ) на межі напівпровідник-вакуум у площині їх контакту обумовлена незалежністю розподілу зарядового потенціалу в напівпровіднику від товщини L ПЕШ, тоді як висота потенціального бар"єра всередині вакуумної щілини збільшується зі збільшенням L відповідно до розподілу потенціалу сил зображення в ній.
   Ключові слова: потенціальний бар"єр, нелокальна електростатика, випростуючий контакт.
   In the framework of non-local electrostatics the electrostatic potential Vj (x, АФ) is calculated theoretically for the semiconductor-vacuum-metal (SVM) system, which is in the contact. It is shown that the basic factor of the double electric layer (DEL) formation in the case of the rectifying contact is the strong influence &of the close located metal and the charge state of its surface on the space charge region formation in the semiconductor in SVM system before contact. The stability of the depletion layer height h (АФ) on the semiconductor/vacuum interface is caused &by independence of the charge potential distribution in the semiconductor on the thickness L of the DEL, when the SVM structure forms the rectifying contact. At the same time the potential barrier height in the vacuum gap increases with the increase &of L accord in to the image potential distribution in a semiconductor/metal vacuum interval
   Key words: potential barrier, non-local electrostatics, rectifying contact.



Пошук: заповніть хоча б одне з полів


Шукати серед складових частин документу "Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка"
Розділ:
Назва:
Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!
слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами
Автор:
Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!
не коротше ніж 2 символи
є повний текст
Рік видання:
Видавництво:
з     по  
Види документів:
 Книга  Брошура  Конволют (штучно створена збірка)  Рідкісне видання
 Автореферат  Дисертація
 Журнал  Газета
 Стаття  Складова частина документа
Новий тематичний пошук
       
      
        
Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex