В роботі наведені результати досліджень фізичних умов, за яких існують області від"ємних значень діелектричної проникності (ДП) в реальному кристалічному середовищі з загасанням полярних коливань. Показано, що саме ефекти демпфування полярних коливань вкристалі мають вирішальний вплив як на мінімально досяжне значення ДП, так і на звуження (до повного зникнення) спектральної області існування від"ємної ДП відносно T-L розщеплення частот фононів. В межах одноосциляторної моделі кристалу отриманий простий кількісний критерій існування смуги частот з від"ємною ДП у двох представленнях - на основі співвідношення сталої загасання до: 1) матеріальних параметрів кристалу та 2) фононного T-L розщеплення частот. Апробація методики на 7 коливаннях у трьох кристалічних модифікацій нітриду бору, вказує на застосовність запропонованого критерію до дисперсійного аналізу кристалів з досить складним спектром полярних фононів.
Ключові слова: діелектрична проникність, мета матеріали, комбінаційне розсіяння.
Research result of the physical conditions lead to existence of negative dielectric permeability (DP) band in the real crystal media with attenuation of polar vibrations are resulted in this paper. It is shown, what exactly damping effects of polar vibration&s in a crystal have the main influence both on minimally achievable value DP. and on narrowing (up to full disappearance) the spectral area of existence negative DP relatively with the T-L splitting of phonons frequencies. In limits of single oscilla&tor models of a crystal the simple quantitative criterion of existence of the frequency band with negative DP in two performances - is based on the relation of a dump constant to: 1) the material parameters of a crystal and 2) phonon T-L splitting of& frequencies. Approbation of a technique on 7 vibrations in three crystal modification of bore nitride, specifies applicability of the offered criterion for the dispersive analysis of crystal with complex enough spectrum of polar phonons.
Keywords: &Metamaterials, Raman scattering. dielectric permittivity.