Досліджено дію одновісного стискання на вольт-амперні характеристики гетероструктур метал-поруватий Si-Si. Показано, що для електрохімічно вирощеного поруватого Si тензорезистивний коефіцієнт ~ 1.1-2 рази вище ніж для підкладки р- Si (100) і зростає з товщиною поруватого Si. Спостерігається гістерезис характеристик при механічних напругах більше ніж 4*10[у дев"ятому ступені] Па.