Представлено результати дослідження впливу наносекундних імпульсів випромінювання рубінового лазера на процеси рекомбінації в монокристалах n-InSb. Показано, що лазерне опромінення призводить до трансформації системи точкових структурних дефектів напівпровідника, наслідком якої є зміна концентрації рекомбінаційних центрів.
