Установлено взаємовплив фоторефрактивного розсіювання світла (ФРРС) і супутнього доменоформування, що виникають при фотозбудженні х-, у-зразків кристалів. Проведені дослідження розподілу поверхневого заряду показали, що ФРРС призводить до істотної змінизарядового стану кристала, яку можна порівняти зі змінами, викликаними лазерною накачкою.
