Проведено дослідження кремнієвих p-n переходів з шарами квантових точок Ge, розміщеними в області просторового заряду, методом ємнісної релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів (РСГР). Встановлено, що обробка бором поверхні кремнію перед вирощуваннямквантових точок призводить до появи навколо них нових глибоких станів. Показано, що глибокі стани, спричинені наявністю квантових точок та кластерів бору привносять низку специфічних особливостей у вольт-фарадні залежності досліджуваних структур.
