Обговорюються особливості розрахунку густини електронних станів ГЦК кристалів методом сильно зв"язаних електронів. Наведена методика розрахунку спектрів 3d-електронів, яка дозволяє отримати напівширину 3d-смуги, близьку до експериментально спостережуваного значення.