Розглянуто проблему створення джерел вимушеного короткохвильового випромінювання лазерного типу на основі три частотного нелінійного параметричного підсилення на системі релятивістських канальованих електронів у монокристалах. Вона об"єднує три напрямкирадіаційної фізики: явища каналювання електронів у резонансній системі квантових енергетичних рівнів у кристалах, лазерне параметричне трихвильове підсилення в нелінійному дисперсійному середовищі енергетичних рівнів у кристалах, лазерне параметричне трихвильове підсилення в нелінійному дисперсійному середовищі та ефект генерації випромінювання в періодичній структурі. Перевага такого підходу пов"язана з можливістю одночасного використання: а) резонансних властивостей нелінійної сприйнятливості в системі канальованих частинок, б) можливості підсилення у зворотному (щодо накачки) напряму за рахунок властивостей лінійної дисперсії кристалічного середовища, в) над інтенсивної накачки резонансним полем періодичної структури.
