Досліджено розсіювання інфрачервоного випромінювання плазмовими коливаннями носії в p-Ge при деформації та без неї в області концентрації вільних дірок 1.4*10 (у 17 ступені) см (у мінус 3 ступені) -7.2*10 (у 17 ступені) см (у мінус 3 ступені). Залежність плазмової частоти від концентрації носіїв і форма лінії плазмового розсіювання відрізняються від спостережуваним у кристалах з простою зонною структурою. Проведені розрахунки, у тому числі й в деформованому кристалі, діелектричної проникності з урахуванням різного типу переходів носіїв, показують, що ці відмінності зумовлені переходами між підзонами легких і важких дірок.
