Одержано формальне інтегральне представлення функції просторового розподілу імплантованих іонів через кумулянти. Розглянуто вирази для різних умов імплантації та проведено аналіз впливу вищих кумулянтів на форму розподілу. Показано, що їх можна врахувати наближено, змінюючи скісність та ексцес розподілу, а тому розподіл іонів можна наближено описати за допомогою чотирьох моментів: проективного пробігу, страглінгу, скісності та ексцесу.
З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека читачів не обслуговує.
Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин