Методами термостимульованої люмінесценції (ТСЛ) досліджено енергетичний спектр центрів прилипання (ЦП) у спеціально не легованих кристалах [альфа]-Al2O3, в інтервалі температур 80-500 К. Виявлено, що енергії термічної активації ЦП утворюють одну осциляторну серію: Еn = h[омега з нижнім індексом ТЛ](n+ ?), h[омега з нижнім індексом ТЛ] = 0.079 еВ (642 см[у мінус першому ступені]). У спектрі комбінаційного розсіяння відповідна лінія 645 см[у мінус першому ступені] є найбільш високочастотним з повносиметричних (А[нижній індекс g]) коливань. На основі цих, а також одержаних на інших матеріалах, даних зроблено висновок, що ця закономірність зумовлена полярною природою ЦП. Енергія активації залежить від природи дефекту й визначається номером n коливального рівня, з якого стає можливим перехід заряду в поляронну зону з наступною рекомбінацією на центрі люмінесценції.
