Головна сторiнка
eng
Наукова бібліотека ім. М. Максимовича UNDP in Ukraine
Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.

Подробиці читайте тут.
Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Назад Новий пошук

Опис документа:

Автор: Находкін М.Г., Федорченко М.І.
Назва: Формування інтерфейсу Sb/Ge(l 1 1)
Видавництво: ВПЦ "Київський університет"
Рік:
Сторінок: С. 323-332
Тип документу: Стаття
Головний документ: Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Анотація:   За допомогою методів УФЕС, OEC та ДПЕ досліджені електронні властивості кристалічної Ge(111)c-2x8 та розупорядкованої іонами Аr+ a-Ge(111) поверхонь, а також інтерфейсів на них з атомами Sb в діапазоні температур 20-400 С. Встановлено складний характер зміни загину зон та роботи виходу в залежності від ступеня покриття поверхонь атомами Sb та температури прогріву інтерфейсів. Запропонована модель, що пояснює експериментальні дані.
   The electronic properties of crystal Ge (111) c-2x8 and disordered by Ar ions a-Ge (111) surfaces, and interfaces on them with Sb atoms in a range of temperatures of 20-400 С are investigated. Complex character of band bending changes and work function depending on a degree of surface covering of Sb atoms and temperatures of interfaces warming up are determined. The model which explains experimental data is pro-posed.


З 31.12.2014 по 01.03.2015 Наукова бібліотека
читачів не обслуговує.



Вибачте, зараз проходить оновлення бази системи, тому пошук тимчасово недоступний.
Спробуйте будь ласка через 20 хвилин

Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та
Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка
проект УКР/99/005

© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex