Описані автоматизована установка для безконтактного контролю результатів технологічних обробок напівпровідникових пластин і фізичні основи її функціонування. Можливості установки базуються на вимірюваннях зарядового стану поверхні методом контактної різниці потенціалів і дозволяють вимірювати величину дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. На прикладі пластин кремнію, що пройшли технологічні етапи виробництва сонячних елементів, показані основні можливості установки і подані результати досліджень, що характеризують якість технологічних обробок.
The automatic instrument for contactless testing of the technological processing results of the semiconductor plates and physical base of its functioning was described. The possibilities of the instrument are based on the measurements of surface semiconductor charge characteristics by the contact potential difference method and allow to measure the diffusion length value of the minority charged carriers. On the example of silicon plates, which were subjected to technological processes of solar element fabrication, the instrument principal possibilities and the studies results, characterizing the technological processing quality were shown.
