За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено формування Cu/Ge інтерфейсів при адсорбції Си на кристалічних та розупорядкованих бомбардуванням іонами Аr+ поверхнях Ge(111) при кімнатній температурі. Установлено, що на розупорядкованих поверхнях Ge(111) має місце збагачення об"ємної частини інтерфейсу Cu/Ge атомами Си. Формування електронної структури характерної для 3d зони об"ємного шару Си відбувається при значно більших ступенях покриття міді, ніж на кристалічних Ge(111)-2x8 поверхнях.
Ключові слова: інтерфейс Си/Ge(111)-2x8, розупорядкована поверхня Ge(111), 3d зона Сu.
The formation of Cu/Ge interfaces at Сu adsorption on ordered and disordered by Ar+ ion bombardment of Ge(111) surfaces was studied by means of the ultraviolet photoelectron spectroscopy. It is shown that interaction of Си atoms with Ge(111) surfaces leads to interface intermixed region for OCu<16ML on Ge(111)-2x8 [...] surface and for OCu>32ML on a-Ge(111) even when metal deposition occurs at RT. The bulk-like Сu 3dband occurs when OCu<16ML on Ge(111)-2x8 surface and OCu>>32ML on a-Ge.
Keywords: Ge(111)-2x8 interface, disordered a-Ge(111) surface, Сu 3d band.
