У роботі досліджується вплив слабоінтенсивного рентгенівського
випромінювання на мікротвердість кристалів кремнію. Виявлено особливості радіаційно-механічного ефекту (ефекту зміни мікротвердості в результаті впливу рентгенівського опромінення на кристали Si). Установлено, що величина й характер релаксації радіаційно-механічного ефекту залежать від дози рентгенівського опромінення та концентрації кисню.
Ключові слова: кремній, рентгенівське опромінення, мікротвердість, радіаційно-механічний ефект.
The influence of weak intensive X-ray radiation on microhardness of silicon crystals is investigated. Features of radiation-mechanical effect (effect of microhardness change as a result of X-ray irradiation influence on Si crystals) are revealed. It is established that a value and character of relaxation of radiation-mechanical effect dependence on a dose of X-ray irradiation and concentration of oxygen.
Key Words: silicon, X-ray radiation, microhardness, radiationmechanical effect.
