В роботі в рамках нелокальної електростатики для квазінейтральної поверхні метану розрахований зарядовий потенціал для системи напівпровідник-вакуум-метан (НВМ) у відсутності контакту та зовнішньої напруги. На прикладі системи п-Si-вакуум-Аи проведено аналіз впливу метану на формування області просторового заряду (ОПЗ) для невиродженого напівпровідника п-типу. Показано, що присутність на відстані L < LОПЗ (LОПЗ -товщина ОПЗ) квазінейтральної поверхні металу призводить до часткової компенсації поверхневого заряду напівпровідника. При зменшенні роздльної відстані L ступінь екранування поверхневого заряду вільними електронами металу суттєво посилюється.
Ключові слова: потенціальний бар"єр, потенціал сил зображення, нелокальна електростатика.
In this work in the framework of non-local electrostatics for the semiconductor-vacuum-melal system the electrostatic potential is calculated in the absence of the contact and the external voltage. The analysis the influence of the metal on the forming of the space charge region (SCR) for the nondegenerate semiconductor of n - type is investigated on the example of the n -Si-vacuum-Au system. It is shown that the presence on the distance L < LОПЗ (LОПЗ is the SCR thickness) of the quasi-neutral surface of a me&tal results in the partial compensation of the density of charge on the semiconductor surface. The degree of the screening of the semiconductor surface charge by the free electrons of a metal essentially increases with decreased separation distance L&
Key words: potential barrier, the image potential, non-local electrostatics.
