У рамках бар"єрного механізму радіаційного зміцнення розглянуто вплив комплексів утворених точковими дефектами, та атомами домішки на величину приросту межі текучості. Визначено критичні величали параметрів системи, коли встановлюється просторово- періодичний розподіл точкових дефектів.
Ключові слова: кристал, опромінення, дефекти, мікротвердість.
Within the framework of the obstacle radiation hardening model the effect of complexes which are formed by point defects and impurity atoms on the increment of yield stress is considered. The critical values of the system parameters are defined when the spatial-periodic distributing of point defects is set.
Key Words: crystal, irradiation, defects, microhardness.
