Вивчено перехідні процеси в моделі Каплана-Соломона-Мотта спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках. Отримано результати впливу основних фізичних параметрів моделі на вигляд і тривалість перехідних процесів у такій системі. Досліджено вплив змінного, сильного та слабкого квазістаціонарного магнітних полів, а також часу стохастизації, імовірності рекомбінації за участю синглетних двоспінових станів та імовірності дисоціації на тривалість перехідних процесів.
This paper considers the transient processes in the Kaplan - Solomon - Mott spin-dependent recombination (SDR) model. The results of the basic physical parameters influence on the transient process duration in such systems are presented. It is shown the alternating, strong and weak quasi-stationary magnetic fields, the time relaxation, the dissociation probability and the recombination with the singlet double-spins conditions assistance probability influence on the recombination speed relative change.
