Проведено теоретичний розгляд явища дегібридизації для інтерметалічних ізоструктурних сполук ряду RAlSi2 (R - Sm,Eu,Gd,Tb,Er,Yb). Показана фізична природа виникнення б-подібного піку[подано формулу], величина якого пропорційна N кількості вузлів, утворених структурними елементами R-Si. В порівнянні з одиничною домішкою величина б-подібного піку[подано формулу] зростає в N раз. Це обумовлено тим. що R-Si -орбіталі відіграють роль електронних дефектів, періодично розташованих у межах всієї кристалічної решітки. Проведені експериментальні та теоретичні дослідження показали високу ступінь кореляції і самоузгодженості. Це дозволяє розглядати атомні зв"язки R-Si як своєрідні електронні дефекти, що сильно збурюють електронну систему сполук ряду RAl2Si2 Це збурення проявляється у виникненні інтенсивних резонансних піків електронних станів, що формуються у валентній зоні досліджених інтерметалідів в результаті дії дегібридизаційного фактору.
Ключові слова: дегібридизація, електронна структура, електронні дефекти.
Thе theoretical consideration of degibridization phenomenon for intermetallic izostructural compounds of RАl2Si2 (R - Sm, Eu,Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical nature occasion of б-like[...] hump, value of which is proportiona&l to N the number of lattice sites formed by R-Si structural elements. In comparison with single admixture the value of б-like[...] hump is more in N times. This is caused those, as R-Si - orbitals are played role of electronic perfections, which is &periodic location in the frame of crystal. Performed theoretical and experimental investigation is shown great degree of correlation and selfconsistency. This give possibility to view R-Si bonds as specific electronic defects, which is strongly pertu&rbed electronic system of RAl2Si2 compounds. Such perturbation is displayed in arising intensive resonance humps of electronic slates, which are formed in valence zone developed intermetallids as a result degibridization factor action.
Key words: de&gibridization. electronic structure, electronic defects.
