У роботі проведено вивчення впливу хімічно модифікованої поверхні монокристалічного кремнію на анти відбиваючі характеристики. Встановлено, що використання тонких шарів наноструктурованого кремнію (3-60 нм) сформованих методом хімічного травлення на підкладках монокристалічного кремнію для сонячних елементів приводить до покращення анти відбиваючих характеристик. Показано, що через рік після формування зразків проявляються ті ж самі закономірності в спектральній залежності коефіцієнту відбивання, але вобласті 300-700 нм спостерігається незначне погіршення (~10%) анти відбиваючих характеристик. Зміни анти відбиваючих характеристик при збільшенні товщини наноструктурованого шару пояснюються на основі структурних змін, що відбуваються в результаті процесу формування наноструктурованого кремнію при хімічній модифікації монокристалічного кремнію.
Ключові слова: монокристалічний кремній, наноструктурований кремній, антивідбивання.
In the work the influence of chemically modified surface of single-crystal silicon on antireflection characteristics is studied.
It is established that the use of thin layers of nanostructured silicon (3-60 nm) formed by method of chemical pickling on single-crystal silicon substrate for solar elements improves antіreflec&tion characteristics. It is shown that one year after shaping the sample it reveals the same regularities in spectral dependency of the reflection coefficient, but in the field of 300-700 nm small deterioration (-10%) of antireflection characteristic&s exists. Changes of antireflection characteristics with increase of thickness nanostructured layer are explained on basis of the structural changes, which occurs in the process of formation of nanostructered silicon by the method of chemical modifi&cation of single-crystal silicon.
Key Words: single-crystal silicon, nanostructured silicon, antireflection.
