Досліджується вплив комплексного легування розплавів галію гадолінієм, алюмінієм та кремнієм на фотолюмінісцентні та електрофізичні властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
Ключові слова: рідинно-фазна епітаксія, епітаксійні шари GaAs, фотолюмінесценція.
The possibility of the GaAs liquid phase epitaxy with the addition of Gd, Al, Si as dopant during growth from the Ga melt was investigated Photoluminescence and Hall effect technique were carried out for studying the influence of complex doping on the electronic and structural properties of GaAs epilayers.
Key Words: liquid phase epitaxy, GaAs epilayers, photoluminescence.
